並在華為東莞工廠測試,中國之精華為也被限制在 7 奈米製程,曝光接近 ASML High-NA EUV 標準。機羲近但由於採用「逐點書寫」(point-by-point writing)──電子束必須像筆逐點描繪電路圖案──因此製作一片晶圓需要更長時間,度逼代妈费用多少無法取得最先進的難量 EUV 機台
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(首圖來源 :中國杭州人民政府) 延伸閱讀:
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